长存晶栈®Xtacking®架构登顶全球技术标杆，赋能致态产品改写存储市场竞争格局

　　近日，三星与长江存储达成3D NAND闪存混合键合技术专利许可协议，三星自第10代V-NAND（V10）起采用晶栈®Xtacking®架构专利技术，标志着长存晶栈®Xtacking®架构正颠覆传统存储芯片制造范式，重塑行业格局，中国存储技术实现反向输出。

　　传统3D NAND闪存制造将存储单元与外围电路集成于同一晶圆，随着堆叠层数增加，外围电路占用面积大，制约存储密度提升;信号传输延迟、能耗和散热问题突出，严重影响芯片性能与可靠性。

　　晶栈®Xtacking®架构创新地将存储单元和外围电路分置于两片晶圆加工。存储单元晶圆专注打造高堆叠阵列，外围电路晶圆采用先进逻辑工艺提升I/O速度。两片晶圆加工完成后，通过数十亿根垂直互联通道（VIA）键合。

　　该技术优势显著：在存储密度上，相比传统架构减少芯片面积的同时，大幅提升存储容量;性能方面，其IO接口速率更快，数据读写更高效;产品开发与生产上，实现并行模块化模式，开发时间及生产周期都能明显缩短，能够加快产品上市。

　　此外，该架构还能有效避免传统架构遇到的工艺困难，在更高层数下具有更大成本优势。

　　三星作为行业龙头采用晶栈®Xtacking®架构，是行业技术转折点的证明。其原有技术在高堆叠层数下可靠性与性能不足，而该技术能提升V10产品可靠性，加速量产。此外，SK海力士也在研发同类技术，表明混合键合技术已成行业趋势，长江存储凭借先发优势和专利布局已经占据技术领先地位。

　　作为长江存储旗下零售存储品牌，致态自2020年采用晶栈®Xtacking®架构以来，持续为消费者带来前沿存储产品。其TiPlus7100的成功展现了晶栈®Xtacking®技术的创新潜力，而最新推出的TiPro9000更开创性地搭载了长江存储全新一代晶栈®Xtacking®4.0架构。通过优化内部结构设计，该技术显著提升了14000MB/s的顺序读取速度和12500MB/s的顺序写入速度，同时实现更低功耗。为满足复杂应用场景需求，TiPro9000创新性地整合了独立DRAM缓存与智能SLC缓存机制，使其成为追求极致性能用户的首选。致态通过TiPro9000等产品，真正实现了让国内用户率先体验高性能、高品质存储产品的承诺。

　　晶栈®Xtacking®正颠覆传统制造范式，树立新的技术标准，改变全球存储行业竞争格局。致态品牌也将持续创新，用高品质的产品持续满足消费者的存储需求。